Mos ICs And Technologyの紹介
このアプリは、コースの重要なトピック、メモ、資料をカバーするMos ICsAndTechnologyの完全な無料ハンドブックです。
このアプリは、試験や面接時の迅速な学習、改訂、参照用に設計されています。
このアプリは、関連するトピックのほとんどと、すべての基本的なトピックを含む詳細な説明をカバーしています。
MOS ICs＆Technologyの114のトピックを詳細にカバーしています。これらの114のトピックは8つのユニットに分かれています
このアプリケーションでカバーされるトピックのいくつかは次のとおりです。
1.ムーアの法則。
2.利用可能なテクノロジーの比較
3.基本的なMOSトランジスタ
4.エンハンスメントモードトランジスタアクション：
5.NMOSの製造：
6.CMOS製造-P-WELLプロセス
7. CMOS製造-N-WELLプロセス：
8.CMOS製造-ツインタブプロセス
9. Bi-CMOSテクノロジー:-(バイポーラCMOS）：
10.電子ビームマスクの製造
11.MOSトランジスタの概要
12.固定Vdsの場合のVgsとIdの関係
13. MOS方程式（基本的なDC方程式）：
14.二次効果
15.CMOSインベッターの特性
16.インバータのDC特性
17.インバーターDC特性のグラフィカルな導出
18.ノイズマージン
19.静的負荷MOSインバーター
20.トランスミッションゲート
21.トライステートインバーター
22.スティック図-NMOSプロセスのエンコーディング
23.CMOSプロセスのエンコーディング
24.BJTおよびMOSFETのエンコーディング
25.NMOSおよびCMOSの設計スタイル
26.デザインルール-MOSICとテクノロジー
27.経由
28.CMOSラムダベースのデザインルール
29. Orbit2umCMOSプロセス
30.抵抗の推定。
31.mosトランジスタのシート抵抗
32.静電容量の見積もり
33.遅延
34.インバーターの遅延
35.遅延の正式な見積もり
36.大きな容量性負荷の駆動
37.fの最適値
38.スーパーバッファー
39.Bicmosドライバー
40.伝播遅延
41.その他の静電容量源
42.レイヤーの選択
43.mosデバイスのスケーリング
44.基本的な物理設計の概要
45.基本的な物理設計の概要
46.基本ゲートの回路図とレイアウト-インバーターゲート
47.基本ゲートの概略図とレイアウト-NANDおよびNORゲート
48.トランスミッションゲート
49.CMOS標準セルの設計
50.パフォーマンスのためのレイアウトの最適化
51.一般的なレイアウトガイドライン
52.BICMOSロジック
53.疑似nmosロジック
54.疑似nmosのその他のバリエーション-マルチドレインロジックとギャングロジック
55.疑似nmosのその他のバリエーション-動的cmosロジック
56.疑似nmosのその他のバリエーション-CLOCKEDCMOSLOGIC（C2MOS）
57.CMOSドミノロジック
58.カスケード電圧スイッチロジック
59.パストランジスタロジック
60.CMOSテクノロジの論理回路構造
61.MOS回路のスケーリング
62.テクノロジースケーリング
63.国際半導体技術ロードマップ（ITRS）
64.デバイスパラメータのスケーリングモデルとスケーリング係数
65.スケーリングの意味
66.相互接続の問題
67.到達可能な半径
68.動的および静的電力
69.生産性と物理的限界
70.スケーリングの制限
71.基板のドーピング
72.空乏幅
73.小型化の限界
74.相互接続と接触抵抗の限界
75.しきい値以下の電流による制限
76.しきい値以下の電流による制限
77.システム
78.VLSI設計フロー
79.3構造化設計アプローチ
80.規則性
81.スイッチとしてのMOSFET
82.スイッチの並列および直列接続
83.CMOSインバーター
84.NANDゲートの設計
85.NORゲートの設計
86.CMOSプロパティ
87.複雑なゲート
88.複雑なゲートAOI
文字制限のため、すべてのトピックがリストされているわけではありません。
各トピックには、より良い学習と迅速な理解のために、図、方程式、およびその他の形式のグラフィック表現が含まれています。
特徴 ：
*章ごとの完全なトピック
*リッチなUIレイアウト
*快適な読み取りモード
*重要な試験トピック
*非常にシンプルなユーザーインターフェイス
*トピックのほとんどをカバー
*ワンクリックで関連するすべての本を入手
このアプリはクイックリファレンスに役立ちます。このアプリを使えば、数時間以内にすべてのコンセプトの改訂を終えることができます。
私たちに低い評価を与える代わりに、あなたの質問、問題を私たちにメールしてください、そして私たちに貴重な評価と提案を与えてください。そうすれば私たちは将来のアップデートのためにそれを考慮することができます。私たちはあなたのためにそれらを解決させていただきます。
このアプリは、試験や面接時の迅速な学習、改訂、参照用に設計されています。
このアプリは、関連するトピックのほとんどと、すべての基本的なトピックを含む詳細な説明をカバーしています。
MOS ICs＆Technologyの114のトピックを詳細にカバーしています。これらの114のトピックは8つのユニットに分かれています
このアプリケーションでカバーされるトピックのいくつかは次のとおりです。
1.ムーアの法則。
2.利用可能なテクノロジーの比較
3.基本的なMOSトランジスタ
4.エンハンスメントモードトランジスタアクション：
5.NMOSの製造：
6.CMOS製造-P-WELLプロセス
7. CMOS製造-N-WELLプロセス：
8.CMOS製造-ツインタブプロセス
9. Bi-CMOSテクノロジー:-(バイポーラCMOS）：
10.電子ビームマスクの製造
11.MOSトランジスタの概要
12.固定Vdsの場合のVgsとIdの関係
13. MOS方程式（基本的なDC方程式）：
14.二次効果
15.CMOSインベッターの特性
16.インバータのDC特性
17.インバーターDC特性のグラフィカルな導出
18.ノイズマージン
19.静的負荷MOSインバーター
20.トランスミッションゲート
21.トライステートインバーター
22.スティック図-NMOSプロセスのエンコーディング
23.CMOSプロセスのエンコーディング
24.BJTおよびMOSFETのエンコーディング
25.NMOSおよびCMOSの設計スタイル
26.デザインルール-MOSICとテクノロジー
27.経由
28.CMOSラムダベースのデザインルール
29. Orbit2umCMOSプロセス
30.抵抗の推定。
31.mosトランジスタのシート抵抗
32.静電容量の見積もり
33.遅延
34.インバーターの遅延
35.遅延の正式な見積もり
36.大きな容量性負荷の駆動
37.fの最適値
38.スーパーバッファー
39.Bicmosドライバー
40.伝播遅延
41.その他の静電容量源
42.レイヤーの選択
43.mosデバイスのスケーリング
44.基本的な物理設計の概要
45.基本的な物理設計の概要
46.基本ゲートの回路図とレイアウト-インバーターゲート
47.基本ゲートの概略図とレイアウト-NANDおよびNORゲート
48.トランスミッションゲート
49.CMOS標準セルの設計
50.パフォーマンスのためのレイアウトの最適化
51.一般的なレイアウトガイドライン
52.BICMOSロジック
53.疑似nmosロジック
54.疑似nmosのその他のバリエーション-マルチドレインロジックとギャングロジック
55.疑似nmosのその他のバリエーション-動的cmosロジック
56.疑似nmosのその他のバリエーション-CLOCKEDCMOSLOGIC（C2MOS）
57.CMOSドミノロジック
58.カスケード電圧スイッチロジック
59.パストランジスタロジック
60.CMOSテクノロジの論理回路構造
61.MOS回路のスケーリング
62.テクノロジースケーリング
63.国際半導体技術ロードマップ（ITRS）
64.デバイスパラメータのスケーリングモデルとスケーリング係数
65.スケーリングの意味
66.相互接続の問題
67.到達可能な半径
68.動的および静的電力
69.生産性と物理的限界
70.スケーリングの制限
71.基板のドーピング
72.空乏幅
73.小型化の限界
74.相互接続と接触抵抗の限界
75.しきい値以下の電流による制限
76.しきい値以下の電流による制限
77.システム
78.VLSI設計フロー
79.3構造化設計アプローチ
80.規則性
81.スイッチとしてのMOSFET
82.スイッチの並列および直列接続
83.CMOSインバーター
84.NANDゲートの設計
85.NORゲートの設計
86.CMOSプロパティ
87.複雑なゲート
88.複雑なゲートAOI
文字制限のため、すべてのトピックがリストされているわけではありません。
各トピックには、より良い学習と迅速な理解のために、図、方程式、およびその他の形式のグラフィック表現が含まれています。
特徴 ：
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